- BUK7Y18-75B,115
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 49 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 105 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SISS23DN-T1-GE3
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,8 Вт (Ta), 57 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- STD12NF06T4
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 30 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN7A11KTC
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 70 В, ток стока: Iс = 4,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,11 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- PSMN011-60MLX
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 61 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 91 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- FDS86242
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 4,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDMA86265P
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- DMP6023LFG-7
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 7,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- FDC2612
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 1,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS5844NLT1G
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 11,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 107 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- AOD4126
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 7,5 А (Ta), 43 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 100 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SQJ457EP-T1_GE3
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 36 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 68 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFRC20TRPBF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI7655ADN-T1-GE3
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,8 Вт (Ta), 57 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDS4435BZ_F085
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSZ040N04LSGATMA1
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y22-100E,115
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 49 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 147 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- AO4402
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- SIS488DN-T1-GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- STD6NF10T4
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 30 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STS6NF20V
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDMA7632
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- BSP130,115
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 300 В, ток стока (непрерывный): Iс = 350 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- BSC025N03LSGATMA1
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 25 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- FQD2N80TM
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 1,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед