- DMN6069SFG-7
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 5,6 А (Ta), 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 930 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- RSR010N10TL
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 540 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y40-55B,115
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 26 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 59 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDT3612
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- SI2328DS-T1-GE3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 1,15 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 730 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- FDG327NZ
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 420 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SC-70-6, упаковка: Cut Tape.
- FDT458P
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- DMP6050SFG-13
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 4,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- RZR040P01TL
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y25-60E,115
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 34 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 65 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SI5475DDC-T1-GE3
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 5,7 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 1206-8 ChipFET™, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y14-40B,115
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 56 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 85 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- NTGS3136PT1G
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SSM6J771G,LF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,2 Вт (Ta), монтаж SMT, упаковка: Cut Tape.
- BUK9875-100A/CUX
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 8 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN20B28KTC
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,2 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP10A13FQTA
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 600 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- AOD424
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), 45 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 100 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SI4403CDY-T1-GE3
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRFR014TRPBF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y15-60E,115
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 53 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 95 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- IRF9328TRPBF
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- ATP112-TL-H
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 40 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: ATPAK, упаковка: Cut Tape.
- IRF9317TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 16 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SQ7414AEN-T1_GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 62 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед