- CPH6354-TL-W
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 6-CPH, упаковка: Cut Tape.
- FDG332PZ
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 750 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SC-70-6, упаковка: Cut Tape.
- RQ5L015SPTL
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- NDS356AP
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- BUK7880-55A/CUX
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 8 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SI1302DL-T1-GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 600 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 280 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SC-70-3, упаковка: Cut Tape.
- SIA449DJ-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- SIB441EDK-T1-GE3
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), 13 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerPAK® SC-75-6L Single, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K2615R,LF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4927NT1G
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 7,9 А (Ta), 38 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 920 мВт (Ta), 20,8 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- SIA459EDJ-T1-GE3
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,9 Вт (Ta), 15,6 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- SI1050X-T1-GE3
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 8 В, ток стока: Iс = 1,34 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 236 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SC-89-6, упаковка: Cut Tape.
- RQ5H020SPTL
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 45 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 540 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- BUK98180-100A/CUX
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 4,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 8 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- RRR030P03TL
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN3B01FTA
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- NTGS5120PT1G
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 600 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- RTR025N05TL
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 45 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- FDMC7678
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17,5 А (Ta), 19,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDN537N
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,5 А (Ta), 6,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- FDMA908PZ
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y58-75B,115
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 20,73 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60,4 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- STQ1HNK60R-AP
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 400 мА (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-92-3, упаковка: Cut Tape.
- SQ2361ES-T1_GE3
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 2,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Tc), SMD-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 115 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: TO-236, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед