- SSM3J35CTC,L3F
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 250 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: CST3C, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002A-7
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 370 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- RU1C001UNTCL
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: UMT3F, упаковка: Cut Tape.
- DMN2046U-7
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 760 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- SBSS84LT1G
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 130 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 225 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- 2N7002BKMB,315
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 450 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 3-DFN1006B (0.6x1), упаковка: Cut Tape.
- NTK3139PT1G
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 660 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 310 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: SOT-723, упаковка: Cut Tape.
- AO3435
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- PMZB290UN,315
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), 2,7 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 3-DFN1006B (0.6x1), упаковка: Cut Tape.
- PMZB670UPE,315
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 680 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), 2,7 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: 3-DFN1006B (0.6x1), упаковка: Cut Tape.
- SSM3K339R,LF
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- PMZB320UPEYL
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: DFN1006B-3, упаковка: Cut Tape.
- AO3402
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- DMN3065LW-13
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 770 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- NTE4151PT1G
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 760 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 313 мВт (Tj), монтаж SMD, корпус изделия: SC-89-3, упаковка: Cut Tape.
- DMG3415UFY4-7
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 16 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: DFN2015H4-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP21D5UFD-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 600 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: X1-DFN1212-3, упаковка: Cut Tape.
- SI2374DS-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Ta), 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 96 мВт, 80 мВт, монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- PMZB350UPE,315
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), 3,125 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: 3-DFN1006B (0.6x1), упаковка: Cut Tape.
- SI2304DDS-T1-GE3
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,3 А (Ta), 3,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,1 Вт (Ta), 1,7 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SI2302DDS-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,9 А (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 710 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SI3457CDV-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5,1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 3 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SI3460DDV-T1-GE3
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,7 Вт (Ta), 2,7 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMP22D6UT-7
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 430 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 150 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- RQ6E050ATTCR
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: TSMT6 (SC-95), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед