- BUK761R7-40E,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 324 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- TPH4R008NH,L1Q
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- SIR890DP-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86350
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Ta), 130 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,7 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- STB28N65M2
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 170 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI7884BDP-T1-E3
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 58 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,6 Вт (Ta), 46 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- ATP304-TL-H
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 90 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: ATPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK765R0-100E,118
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 357 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86200DC
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 9,3 А (Ta), 28 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,2 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: Dual Cool™56, упаковка: Cut Tape.
- PSMN4R8-100BSEJ
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 120 А (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 405 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- AOB290L
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), 140 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 500 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: TO-263 (D²Pak), упаковка: Cut Tape.
- AOB27S60L
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 27 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 357 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: TO-263 (D²Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDB8832
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 34 А (Ta), 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- IXTY01N100
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 1000 В, ток стока: Iс = 100 мА (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 25 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- SUM45N25-58-E3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 45 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,75 Вт (Ta), 375 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- SUM65N20-30-E3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 65 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,75 Вт (Ta), 375 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- SUM110P06-08L-E3
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,75 Вт (Ta), 272 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- SUM90P10-19L-E3
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 13,6 Вт (Ta), 375 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- SUM110P04-05-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 110 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 15 Вт (Ta), 375 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- STH315N10F7-2
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 315 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- SSM3J15FV,L3F
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: VESM, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002KT1G
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 320 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SSM3K72CFS,LF
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 170 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 150 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SSM, упаковка: Cut Tape.
- RU1C002ZPTCL
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 150 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: UMT3F, упаковка: Cut Tape.
- 2V7002KT1G
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 320 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 мВт (Tj), SMT-монтаж, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед