- SI4488DY-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,56 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- TPHR6503PL,L1Q
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 150 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 960 мВт (Ta), 170 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- SI7461DP-T1-E3
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,9 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7461DP-T1-GE3
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMC7660
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 20 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: Power33, упаковка: Cut Tape.
- FDMC8010ET30
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 30 А (Ta), 174 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 65 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: Power33, упаковка: Cut Tape.
- SIR872ADP-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 53,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7846DP-T1-E3
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STD105N10F7AG
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 120 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- AON6242
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18,5 А (Ta), 85 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- STD60NF55LT4
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SIR662DP-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86163P
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,9 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- SIR870ADP-T1-GE3
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7478DP-T1-E3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7450DP-T1-E3
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,9 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7450DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- AON6278
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 34 А (Ta), 85 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 7,4 Вт (Ta), 208 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SI7469DP-T1-E3
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,2 Вт (Ta), 83,3 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7469DP-T1-GE3
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5,2 Вт (Ta), 83,3 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86263P
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 4,4 А (Ta), 22 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: Power56, упаковка: Cut Tape.
- SI4126DY-T1-GE3
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 39 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 7,8 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDMC8010
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 30 А (Ta), 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), 54 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: Power33, упаковка: Cut Tape.
- SIR870DP-T1-GE3
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SIR826ADP-T1-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед