- SI3440DV-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 1,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,14 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- STD2N80K5
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SI7463ADP-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 46 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 39 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4463BDY-T1-E3
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI4848DY-T1-E3
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 2,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI7415DN-T1-E3
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4848DY-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 2,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PSMN013-100YSEX
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 82 А (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 238 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y7R8-80EX
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 238 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDS4675
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DN2470K4-G
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 700 В, ток стока (непрерывный): Iс = 170 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- PSMN102-200Y,115
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 113 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- STL42P6LLF6
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SI4840BDY-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 19 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 6 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI4840BDY-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 19 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 6 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- AON7405
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Ta), 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,25 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- SUD50P04-08-GE3
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 73,5 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SI7157DP-T1-GE3
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMC86102L
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 7 А (Ta), 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDD86540
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 21,5 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 127 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- SI4838BDY-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 34 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 5,7 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- NDT454P
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- FDMC8462
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 14 А (Ta), 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: Power33, упаковка: Cut Tape.
- SI7884BDP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 58 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,6 Вт (Ta), 46 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDT86102LZ
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,2 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед