- SUD50N04-8M8P-4GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 48,1 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- AON6512
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 54 А (Ta), 150 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 7,4 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- ZVP0545GTA
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 450 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SIA414DJ-T1-GE3
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 8 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y3R5-40E,115
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 167 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SI7123DN-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SIS434DN-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- STD10NF10T4
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 13 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 50 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI4114DY-T1-GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 5,7 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PSMN3R3-40YS,115
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 117 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SIS407DN-T1-GE3
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Ta), 33 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- AOD403
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 90 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SIR426DP-T1-GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,8 Вт (Ta), 41,7 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN5R5-60YS,115
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 130 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SI7613DN-T1-GE3
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 52,1 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SIS892ADN-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMC86262P
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), 8,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- STL42P4LLF6
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 75 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- PSMN8R2-80YS,115
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 82 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 130 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- STD26P3LLH6
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- ZVP4424GTA
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока: Iс = 480 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SIS862DN-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SIS476DN-T1-GE3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7386DP-T1-E3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,8 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7386DP-T1-GE3
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,8 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед