- STW34NM60N
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 29 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-247-3, упаковка: Tube.
- IPW60R041C6FKSA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 77,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 481 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: PG-TO247-3, упаковка: Tube.
- SPW47N60C3FKSA1
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 47 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 415 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: PG-TO247-3, упаковка: Tube.
- SPW55N80C3FKSA1
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 54,9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: PG-TO247-3, упаковка: Tube.
- IRF9530NPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 14 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 79 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IRF2807ZPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 170 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IRFB4410ZPBF
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 97 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 230 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IRFB7530PBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 195 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.
- SPW11N80C3FKSA1
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 156 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: PG-TO247-3, упаковка: Tube.
- IPP50R380CEXKSA1
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 9,9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 73 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: PG-TO-220-3, упаковка: Tube.
- IRFB52N15DPBF
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 51 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 230 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IPA80R1K2P7XKSA1
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 25 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: PG-TO220 Full Pack, упаковка: Tube.
- IPA80R900P7XKSA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 26 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: PG-TO220 Full Pack, упаковка: Tube.
- IPP80R750P7XKSA1
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 51 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: PG-TO220-3, упаковка: Tube.
- IPP80R600P7XKSA1
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: PG-TO220-3, упаковка: Tube.
- IPAN80R450P7XKSA1
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 29 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: PG-TO220-3-31 Full Pack, упаковка: Tube.
- IPW80R360P7XKSA1
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 84 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: PG-TO247-3, упаковка: Tube.
- 2SK1317-E
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-3P, упаковка: Tube.
- STP5NK60ZFP
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 25 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220FP, упаковка: Tube.
- 2N7000
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- BS107P
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж в отверстия, корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- ZVN4424A
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока: Iс = 260 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 750 мВт (Ta), монтаж в отверстия, корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- SIHG20N50C-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 250 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- SIHB33N60E-GE3
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 33 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 278 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Bulk.
- 2N6661
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 90 В, ток стока (непрерывный): Iс = 350 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,25 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-39, упаковка: Bulk.
Назад
Вперед