- FDG328P
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 750 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SC-70-6, упаковка: Cut Tape.
- AOD442
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), 37 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 60 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SIA446DJ-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 7,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- FDG327N
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 420 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SC-70-6, упаковка: Cut Tape.
- FDC5614P
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- SIS427EDN-T1-GE3
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- FDC3535
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- SQ2310ES-T1_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: TO-236, упаковка: Cut Tape.
- FDMA530PZ
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- BUK9832-55A/CUX
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 8 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- FDT86113LZ
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 3,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,2 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- RTR020N05TL
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 45 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- FDT439N
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- FDC2512
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- FDMA6676PZ
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- SI4401DDY-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 16,1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 6,3 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- NTTFS5116PLTAG
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 5,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDT457N
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- SI4056DY-T1-GE3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 5,7 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI7149ADP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STL7N6LF3
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,3 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- STN3NF06
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,3 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SI7617DN-T1-GE3
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- TPN4R303NL,L1Q
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), 34 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y19-55B,115
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 46 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 85 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед