- SI1302DL-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 600 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 280 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SC-70-3, упаковка: Cut Tape.
- SI2315BDS-T1-E3
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 750 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- ZXMN10A07FTA
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 700 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,2 Вт (Ta), 1,7 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- FDN306P
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- FDN304P
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- ZVN3320FTA
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 60 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 330 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- SI2308BDS-T1-GE3
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,09 Вт (Ta), 1,66 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- AON7522E
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21 А (Ta), 34 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: 8-DFN (3x3), упаковка: Cut Tape.
- BUK98150-55A/CUF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 8 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- STR1P2UH7
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Tc), монтаж SMD, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- FDN302P
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- SI1022R-T1-GE3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 330 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SC-75A, упаковка: Cut Tape.
- SQ2318AES-T1_GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SI2302CDS-T1-GE3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 710 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- AON2260
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: 6-DFN-EP (2x2), упаковка: Cut Tape.
- BUK9880-55A/CUX
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 8 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- AOD407
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SQ2309ES-T1_GE3
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: TO-236 (SOT-23), упаковка: Cut Tape.
- SI2319CDS-T1-GE3
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), 2,5 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SI2323DDS-T1-GE3
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 5,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 960 мВт (Ta), 1,7 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN3A14FTA
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- FDC8878
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- TPN3R704PL,L1Q
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 630 мВт (Ta), 86 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- SI2328DS-T1-E3
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 1,15 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 730 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед