- DMG1013T-7
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 460 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 270 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- BSS138K
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 220 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- FDV302P
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 120 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- NTA4151PT1G
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 760 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 301 мВт (Tj), SMD-монтаж, тип корпуса: SC-75, SOT-416, упаковка: Cut Tape.
- NTR5198NLT1G
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 900 мВт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- NTE4153NT1G
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 915 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 300 мВт (Tj), поверхностный монтаж, тип корпуса: SC-89-3, упаковка: Cut Tape.
- NTS4101PT1G
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,37 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 329 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SC-70-3 (SOT323), упаковка: Cut Tape.
- SI2371EDS-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), 1,7 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- NTJS3151PT1G
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363, упаковка: Cut Tape.
- DMN601TK-7
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 150 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- NTS2101PT1G
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 8 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 290 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SC-70-3 (SOT323), упаковка: Cut Tape.
- NDS351AN
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- FDN338P
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- NDS331N
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- FDN335N
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- FDN352AP
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- FDN340P
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- FDN358P
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- FDN337N
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- NTGS4111PT1G
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 630 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- NTGS4141NT1G
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SI2318CDS-T1-GE3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), 2,1 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), 500 мВт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- SI1317DL-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- FDN327N
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед