- STD17NF25
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 90 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STL70N4LLF5
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 72 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerFlat™ (6x5), упаковка: Cut Tape.
- STD13N60M2
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STL135N8F7AG
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 130 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,8 Вт (Ta), 135 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- STD6N95K5
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 950 В, ток стока: Iс = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 90 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STB18NM80
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 190 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STD18N65M5
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STL24N60M2
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
- STL110N10F7
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 107 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 136 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- STD16N65M5
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 90 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STB45N40DM2AG
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока: Iс = 38 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH310N10F7-2
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 315 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- STB20N95K5
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 950 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB45N65M5
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 210 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH12N120K5-2
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002ET1G
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 260 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 мВт (Tj), монтаж SMT, тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- 2N7002LT1G
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 115 мА (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 225 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- RE1C002UNTCL
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL), упаковка: Cut Tape.
- 2N7002K-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 300 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- 2N7002WT1G
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 310 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 280 мВт (Tj), монтаж SMT, корпус изделия: SC-70-3 (SOT323), упаковка: Cut Tape.
- FDV301N
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 220 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- BSS123LT1G
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 170 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 225 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- BSS138
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 220 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS123
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 170 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002K
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-23 (TO-236AB), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед