- IRLS3813TRLPBF
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 160 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 195 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- IRFS7734TRLPBF
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 183 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 290 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- IRF8304MTRPBF
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28 А (Ta), 170 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 100 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: DIRECTFET™ MX, упаковка: Cut Tape.
- IPD65R190C7ATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 13 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 72 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IPB011N04NGATMA1
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 250 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PG-TO263-7-3, упаковка: Cut Tape.
- IPB180N04S4H0ATMA1
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PG-TO263-7-3, упаковка: Cut Tape.
- IRFS4321TRLPBF
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 85 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 350 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFS7534TRLPBF
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 195 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 294 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- IPB160N04S203ATMA4
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 160 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TO263-7-3, упаковка: Cut Tape.
- AUIRF1404ZSTRL
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 160 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 200 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- IPB035N08N3GATMA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 214 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IPB60R190C6ATMA1
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 151 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IPB014N06NATMA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 34 А (Ta), 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 214 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PG-TO263-7, упаковка: Cut Tape.
- AUIRFS4310ZTRL
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 250 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFS3006TRL7PP
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 240 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.
- IPB60R165CPATMA1
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 192 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- IPB027N10N5ATMA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PG-TO263-3, упаковка: Cut Tape.
- STD10P10F6
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STD25NF20
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STL8DN6LF6AG
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 32 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,8 Вт (Ta), 55 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- STL4N80K5
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 38 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- STD35NF06LT4
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 80 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STD25NF10LT4
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STD13NM60N
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 90 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STD3PK50Z
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 2,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 70 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед