- IRFS7787TRLPBF
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 76 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- IPB100N04S4H2ATMA1
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 115 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- IPB029N06N3GATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 188 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IPB60R380C6ATMA1
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 83 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IPB80N06S2L07ATMA3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 210 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- IRFS4020TRLPBF
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPB80N06S2L06ATMA2
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- IRF1404ZSTRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFS7762TRLPBF
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 85 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 140 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- IRFS52N15DTRLP
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 51 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 230 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRL3705ZSTRLPBF
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 130 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFS31N20DTRLP
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 31 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 200 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPB160N04S4H1ATMA1
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 160 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 167 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PG-TO263-7-3, упаковка: Cut Tape.
- IRFS7540TRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 160 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- IRL7486MTRPBF
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 209 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 104 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: DirectFET™ Isometric ME, упаковка: Cut Tape.
- IPB120N04S402ATMA1
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 158 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PG-TO263-3, упаковка: Cut Tape.
- IPD60R385CPATMA1
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 83 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IRFS23N15DTRLP
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 23 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPL60R385CPAUMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 83 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PG-VSON-4, упаковка: Cut Tape.
- IPB60R280C6ATMA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 13,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 104 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IPB120N04S401ATMA1
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 188 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PG-TO263-3, упаковка: Cut Tape.
- IPB020N04NGATMA1
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 140 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 167 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PG-TO263-7-3, упаковка: Cut Tape.
- IPB180N04S401ATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 188 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PG-TO263-7-3, упаковка: Cut Tape.
- IRF1405ZSTRLPBF
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 230 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRF7665S2TRPBF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 4,1 А (Ta), 14,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: DIRECTFET SB, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед