- IRFR4105ZTRPBF
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 48 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IPB090N06N3GATMA1
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 71 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- SPB18P06PGATMA1
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 81,1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IPD048N06L3GBTMA1
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 115 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IRFR3518TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 38 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRF7425TRPBF
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IPD60R600C6ATMA1
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 63 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IRFZ44ESTRLPBF
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 48 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFR24N15DTRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 140 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IPB034N03LGATMA1
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 94 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IRF6215STRLPBF
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 13 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 110 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRLR3705ZTRPBF
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 130 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IPB081N06L3GATMA1
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 79 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IRFZ46NSTRLPBF
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 53 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 107 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SPD04N80C3ATMA1
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 63 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IRFR3411TRPBF
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 32 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 130 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRFR1018ETRPBF
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 56 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRFS7440TRLPBF
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 208 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: TO-263 (D²Pak), упаковка: Cut Tape.
- IPB80N06S209ATMA2
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 190 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- IRFR3710ZTRPBF
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 140 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SPD08N50C3ATMA1
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 7,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 83 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PG-TO252-3-1, упаковка: Cut Tape.
- IRFH5250TRPBF
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 45 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,6 Вт (Ta), 160 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- BSO201SPHXUMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: PG-DSO-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF3205ZSTRLPBF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 170 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BSO080P03SHXUMA1
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,79 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: P-DSO-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед