- IRF9393TRPBF
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRLR2705TRPBF
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 68 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSP324H6327XTSA1
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока: Iс = 170 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,8 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.
- BSP320SH6327XTSA1
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,9 А (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,8 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.
- IRFHM8235TRPBF
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 16 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33, упаковка: Cut Tape.
- DMN6040SK3-13
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 42 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- BSP322PH6327XTSA1
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,8 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.
- BSZ088N03LSGATMA1
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 35 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD50N04S4L08ATMA1
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 46 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PG-TO252-3-313, упаковка: Cut Tape.
- SPD04P10PLGBTMA1
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 4,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 38 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- BSC059N04LSGATMA1
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Ta), 73 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF40R207
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 56 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 83 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- IPB080N03LGATMA1
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 47 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IRFR220NTRPBF
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 43 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IPD90N04S405ATMA1
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 86 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 65 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TO252-3-313, упаковка: Cut Tape.
- IRFH8337TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,2 Вт (Ta), 27 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IRL80HS120
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 12,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 11,5 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: 6-PQFN (2x2), упаковка: Cut Tape.
- IPD50N03S4L06ATMA1
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 56 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PG-TO252-3-11, упаковка: Cut Tape.
- IRLR3410TRLPBF
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 79 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSZ110N08NS5ATMA1
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PG-TSDSON-8-FL, упаковка: Cut Tape.
- BSZ0506NSATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 27 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PG-TSDSON-8-FL, упаковка: Cut Tape.
- BSC097N06NSATMA1
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 46 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSO033N03MSGXUMA1
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,56 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: PG-DSO-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFR3410TRPBF
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 31 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 110 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSC0902NSATMA1
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед