- RSJ400N10TL
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,35 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: LPTS (SC-83), упаковка: Cut Tape.
- FDMS8320LDC
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 44 А (Ta), 130 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,2 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: Dual Cool™56, упаковка: Cut Tape.
- FDB20N50F
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- HUF75345S3ST
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 325 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- R6015FNJTL
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: LPTS, упаковка: Cut Tape.
- STB80NF03L-04T4
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB100NF04T4
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- R6015ENJTL
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 40 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: LPTS (D2PAK), упаковка: Cut Tape.
- R6020FNJTL
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: LPTS, упаковка: Cut Tape.
- STB33N60DM2
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 190 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI7439DP-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,9 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SIHH11N65E-T1-GE3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 130 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PowerPAK® 8 x 8, упаковка: Cut Tape.
- SIHH11N65EF-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 130 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PowerPAK® 8 x 8, упаковка: Cut Tape.
- FDB024N06
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 395 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH185N10F3-2
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 315 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- STH185N10F3-6
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 315 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: H2PAK-6, упаковка: Cut Tape.
- STB28N60DM2
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 170 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SIHH14N65EF-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 156 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerPAK® 8 x 8, упаковка: Cut Tape.
- SIHH21N60EF-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 19 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 174 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PowerPAK® 8 x 8, упаковка: Cut Tape.
- FDMT800120DC
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 120 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Ta), 129 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,2 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-Dual Cool™88, упаковка: Cut Tape.
- STB20N90K5
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 900 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 250 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- STH240N75F3-2
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- SIHH26N60EF-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 202 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PowerPAK® 8 x 8, упаковка: Cut Tape.
- SIHH24N65EF-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 23 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 202 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® 8 x 8, упаковка: Cut Tape.
- IRFHM8337TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед