- BUK6C2R1-55C,118
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 228 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SUM90N03-2M2P-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,75 Вт (Ta), 250 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- RCJ450N20TL
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 45 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,56 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: LPTS, упаковка: Cut Tape.
- SIHF12N60E-GE3
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 33 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220 Full Pack, упаковка: Cut Tape.
- R5016FNJTL
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 16 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 50 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: LPTS, упаковка: Cut Tape.
- IRF840STRLPBF
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS5352
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 13,6 А (Ta), 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- STB18NF30
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 330 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB75NF75LT4
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- TK65G10N1,RQ
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 65 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 156 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB75NF75T4
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB6NK90ZT4
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 900 В, ток стока: Iс = 5,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 140 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH145N8F7-2AG
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 200 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- DMTH6004SCTBQ-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,7 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- SIE822DF-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,2 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: 10-PolarPAK® (S), упаковка: Cut Tape.
- SQM40010EL_GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- SQM40031EL_GE3
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- STB11NK50ZT4
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 10 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 125 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB8160_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 254 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- FDB8443
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Ta), 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 188 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- STB33N65M2
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 24 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 190 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB80NF10T4
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- R6012FNJTL
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: LPTS (SC-83), упаковка: Cut Tape.
- R6011ENJTL
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: LPTS (D2PAK), упаковка: Cut Tape.
- R6024ENJTL
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 24 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 40 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: LPTS (D2PAK), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед