- IPS80R1K4P7AKMA1
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 32 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: PG-TO251-3, упаковка: Tube.
- IPU80R1K4P7AKMA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 32 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: PG-TO251-3, упаковка: Tube.
- IPAW60R360P7SXKSA1
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 22 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: PG-TO220 Full Pack, упаковка: Tube.
- IPA70R360P7SXKSA1
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 700 В, ток стока: Iс = 12,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 26,4 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: PG-TO220 Full Pack, упаковка: Tube.
- IPA80R1K4P7XKSA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 24 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220-3F, упаковка: Tube.
- IPP80R1K4P7XKSA1
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 32 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: PG-TO-220-3, упаковка: Tube.
- IPP60R600P7XKSA1
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 30 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: PG-TO220-3, упаковка: Tube.
- IPA80R1K0CEXKSA2
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 5,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 32 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: PG-TO220-FP, упаковка: Tube.
- IPP60R360P7XKSA1
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 41 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: PG-TO220-3, упаковка: Tube.
- IPP100N08N3GXKSA1
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: PG-TO-220-3, упаковка: Tube.
- IPP057N08N3GXKSA1
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: PG-TO-220-3, упаковка: Tube.
- STF3NK80Z
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 25 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-220FP, упаковка: Tube.
- STP120NF10
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 110 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 312 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.
- STP26NM60N
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 140 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.
- STF8N80K5
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 25 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-220FP, упаковка: Tube.
- STP20NF20
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.
- STP80NF10
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.
- STP140NF75
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 310 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IRLB3813PBF
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 260 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 230 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.
- STP55NF06FP
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 30 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220FP, упаковка: Tube.
- IRL2910PBF
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 55 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 200 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IPP029N06NAKSA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 24 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: PG-TO-220-3, упаковка: Tube.
- IRFB4710PBF
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 200 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IRFP4668PBF
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 130 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 520 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Tube.
- STP21N90K5
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 900 В, ток стока: Iс = 18,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 250 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220-3, упаковка: Tube.
Назад
Вперед