- STD7N90K5
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 900 В, ток стока: Iс = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- HUF76639S3ST_F085
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 51 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 180 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- SIHJ7N65E-T1-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 7,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 96 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- R6009ENJTL
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 40 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: LPTS (D2PAK), упаковка: Cut Tape.
- FDB86566_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 110 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 176 Вт (Tj), монтаж на поверхность, корпус изделия: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- FQB34N20TM_AM002
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 31 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,13 Вт (Ta), 180 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- STL25N60M2-EP
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
- FDB8442_F085
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 254 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- RCJ220N25TL
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 22 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,56 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: LPTS (SC-83), упаковка: Cut Tape.
- IRF9620STRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SQ4401EY-T1_GE3
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 17,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 7,14 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SUD50P06-15L-E3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SUD50P04-09L-E3
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- IRF9630STRLPBF
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 74 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB8860_F085
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 254 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- FQB8N90CTM
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 900 В, ток стока: Iс = 6,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 171 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- R6020ENJTL
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: LPTS (D2PAK), упаковка: Cut Tape.
- SQM40014EM_GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 200 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: TO-263-7, упаковка: Cut Tape.
- FDB8832_F085
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 34 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R2-40BS,118
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 306 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDD9407_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 227 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- STB18N60M2
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 13 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRF740ASTRLPBF
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока: Iс = 10 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 125 Вт (Tc), монтаж на поверхность, упаковка: Cut Tape.
- RSJ250P10TL
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 25 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 50 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: LPTS, упаковка: Cut Tape.
- STL60N10F7
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 46 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 72 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед