- TK14G65W,RQ
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 13,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 130 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FQB34N20LTM
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 31 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,13 Вт (Ta), 180 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- STB130N6F7
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 160 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SUD50N02-06P-E3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,8 Вт (Ta), 65 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- IRF830ASTRLPBF
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 74 Вт (Tc), поверхностный монтаж, упаковка: Cut Tape.
- STH6N95K5-2
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 950 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- HUFA75639S3ST_F085A
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 56 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- HUFA75639S3ST
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 56 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 200 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- HUF76429S3ST
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 47 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- SUM60N10-17-E3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,75 Вт (Ta), 150 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- STB8N65M5
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 70 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB95N4F3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB86366_F085
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 176 Вт (Tj), SMT-монтаж, корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- BUK962R8-60E,118
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 324 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK964R7-80E,118
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 324 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STL120N4LF6AG
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 96 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IRFBF20STRLPBF
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 900 В, ток стока: Iс = 1,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 54 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB11N65M5
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 85 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDD3670
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 34 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- FDMS7650
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 36 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- HUF76439S3ST
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 180 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- SIE874DF-T1-GE3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,2 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 10-PolarPAK® (L), упаковка: Cut Tape.
- SI7738DP-T1-GE3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5,4 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STL16N65M2
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 56 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- FDB3652_F085
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), 61 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед