- TK90S06N1L,LQ
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 90 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 157 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- STD8N65M5
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 70 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB8444_F085
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 167 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- NTB60N06T4G
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 60 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), 150 Вт (Tj), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FCD850N80Z
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 75 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- HUF76639S3ST
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 51 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 180 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- IRF9540STRLPBF
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 19 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 150 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB070AN06A0
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Ta), 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 175 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMC86570LET60
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), 87 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 65 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: Power33, упаковка: Cut Tape.
- FDMC8321LDC
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 27 А (Ta), 108 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,9 Вт (Ta), 56 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: Dual Cool ™ 33, упаковка: Cut Tape.
- SQM70060EL_GE3
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 166 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- BUK963R3-60E,118
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 293 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI7866ADP-T1-E3
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5,4 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDB42AN15A0_F085
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- BUK763R1-60E,118
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 293 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK7610-55AL,118
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB16AN08A0
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), 58 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 135 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- STL10N60M2
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 48 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- RCJ200N20TL
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,56 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: LPTS, упаковка: Cut Tape.
- FDB8443_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 188 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- FQB6N80TM
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 5,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,13 Вт (Ta), 158 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- FDB088N08
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 160 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB60NF10T4
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK662R7-55C,118
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 306 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN7R0-100BS,118
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 269 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед