- STL12N65M2
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 48 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- FDMC7660DC
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: Dual Cool ™ 33, упаковка: Cut Tape.
- STB19NF20
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 90 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STL10N65M2
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 48 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SUM90N04-3M3P-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDB13AN06A0
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,9 А (Ta), 62 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 115 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- STL7LN80K5
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 42 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- FDMC86570L
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), 56 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 54 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: Power33, упаковка: Cut Tape.
- FDS4465_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- HUF76633S3ST_F085
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 39 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 183 Вт (Tj), SMD-монтаж, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- SIR440DP-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STH175N4F6-6AG
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- STD18NF25
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK763R9-60E,118
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 263 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRF620STRLPBF
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STD5N95K5
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 950 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 70 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STD11N65M2
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 85 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86368_F085
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 214 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: Power56, упаковка: Cut Tape.
- R5009FNJTL
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: LPTS, упаковка: Cut Tape.
- FDB8870_F085
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 23 А (Ta), 160 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 160 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- STB100N6F7
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 125 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK9615-100A,118
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 230 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STD65N55LF3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STD6N80K5
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 85 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STD95N4F3
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед