- STB5N80K5
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDS6679
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI7898DP-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMC86261P
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 2,7 А (Ta), 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- SI7898DP-T1-GE3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- RRH100P03GZETB
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 650 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- FDB8870
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 23 А (Ta), 160 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 160 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R0-30BL,118
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 211 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRF540STRLPBF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 28 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 150 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- SIRA02DP-T1-GE3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 71,4 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF9640STRLPBF
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB60NF06LT4
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB9409_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 94 Вт (Tj), монтаж SMD, заводской корпус: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- FDB2572
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), 29 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 135 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: TO-236AB, упаковка: Cut Tape.
- SI7115DN-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 8,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS6681Z
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21,1 А (Ta), 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 73 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDS86141
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BUK9609-75A,118
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 230 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STD100N3LF3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STH175N4F6-2AG
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- FDMC8360L
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 27 А (Ta), 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 54 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: Power33, упаковка: Cut Tape.
- FCD380N60E
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 10,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 106 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STB6N65M2
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STD2N105K5
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 1050 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 60 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STD25NF10LA
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед