- STB55NF06T4
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- AON6294
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), 52 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,2 Вт (Ta), 57 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- DMTH4004SCTBQ-13
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,7 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: TO-263AB (D²PAK), упаковка: Cut Tape.
- HUF76419S3ST_F085
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 29 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- PHB45NQ15T,118
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 45,1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 230 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB8445_F085
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 92 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- SI4490DY-T1-GE3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 2,85 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,56 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STD9N65M2
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FQB19N20TM
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,13 Вт (Ta), 140 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- NTB25P06T4G
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 27,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 120 Вт (Tj), SMD-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH160N4LF6-2
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- SIR844DP-T1-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- AOB12N65L
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 278 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: TO-263 (D²Pak), упаковка: Cut Tape.
- BUK764R0-40E,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 182 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDD8444L_F085
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 16 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 153 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- IRF530STRLPBF
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 88 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FCD1300N80Z
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 52 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FQB44N10TM
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 43,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,75 Вт (Ta), 146 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- FQB4N80TM
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,13 Вт (Ta), 130 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- RCJ100N25TL
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 10 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,56 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: LPTS (SC-83), упаковка: Cut Tape.
- FQB6N40CTM
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 73 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- IRF630STRLPBF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 74 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- TPH8R80ANH,L1Q
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 32 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), 61 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- STB30NF10T4
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 115 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- R6007ENJTL
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: LPTS (D2PAK), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед