- BUK7620-100A,118
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 63 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 200 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STL7N60M2
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4 Вт (Ta), 67 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PowerFLAT™ (5x5), упаковка: Cut Tape.
- STD35NF06T4
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 80 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STD5N60M2
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 45 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDD6030L
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,2 Вт (Ta), 56 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- STD52P3LLH6
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 52 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 70 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB8896_F085
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Ta), 93 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 80 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- FDMC86324
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: Power33, упаковка: Cut Tape.
- STD3N62K3
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 620 В, ток стока: Iс = 2,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86520L
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13,5 А (Ta), 22 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDMC86102LZ
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- ZVN4306GVTA
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- FQB11N40CTM
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 135 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- IRFS7537TRLPBF
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 173 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 230 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- FQB5N60CTM_WS
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- BUK763R4-30B,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 255 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STD9N60M2
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 5,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- TK15S04N1L,LQ
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 46 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: DPAK+, упаковка: Cut Tape.
- STD25NF10T4
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SIS443DN-T1-GE3
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- DMTH4004SCTB-13
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,7 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- PSMN8R7-80BS,118
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 170 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STD7N65M2
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 60 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- NDB6030PL
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 75 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- NDB6020P
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 60 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед