- RSJ151P10TL
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,35 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: LPTS (SC-83), упаковка: Cut Tape.
- DMP25H18DLFDE-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 260 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 600 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: U-DFN2020-6 (Type E), упаковка: Cut Tape.
- MCP87018T-U/MF
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-PDFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- FDMS8560S
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 30 А (Ta), 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 65 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- HUFA76429D3ST_F085
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- FQB33N10TM
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 33 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,75 Вт (Ta), 127 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- FDMA7630
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- FDD3672_F085
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 44 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 144 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- STD5N52U
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 525 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 70 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FQB7P20TM
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 7,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,13 Вт (Ta), 90 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- FDMC510P
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDD2572_F085
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), 29 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 135 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- SI7112DN-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- FDWS5360L_F085
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tj), SMT-монтаж, корпус изделия: Power56, упаковка: Cut Tape.
- BUK7607-55B,118
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 203 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDD16AN08A0_F085
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 135 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- BUK9628-100A,118
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 166 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFR020TRPBF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 14 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- PSMN4R0-60YS,115
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 74 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 130 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- IRF510STRLPBF
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 5,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 43 Вт (Tc), монтаж на поверхность, упаковка: Cut Tape.
- FDWS86368_F085
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 214 Вт (Tj), поверхностный монтаж, корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- SIR166DP-T1-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FQB50N06LTM
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 52,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,75 Вт (Ta), 121 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- STD37P3H6AG
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDD10AN06A0_F085
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 135 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед