- AOB414
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,6 А (Ta), 51 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 150 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: TO-263 (D²Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDB8880
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), 54 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 55 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- NTD5802NT4G
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16,4 А (Ta), 101 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 93,75 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SUD19P06-60-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 38,5 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SIR466DP-T1-GE3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 54 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9675-100A,118
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 23 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 99 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN10A25GTA
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- FDMC7664
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18,8 А (Ta), 24 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 45 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDMS7676
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 16 А (Ta), 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- SI4483ADY-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 19,2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,9 Вт (Ta), 5,9 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R0-30YLE,115
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 272 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- NTTFS3A08PZTAG
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 840 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- BUK664R6-40C,118
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 158 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPB80N06S2H5ATMA2
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- FDD4141_F085
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,8 А (Ta), 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
- R6004ENJTL
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 40 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: LPTS (D2PAK), упаковка: Cut Tape.
- FDD3682_F085
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 5,5 А (Ta), 32 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 95 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- STL10N3LLH5
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerFlat™ (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- DMT10H015LFG-7
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 35 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- SIS452DN-T1-GE3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SIRA04DP-T1-GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 62,5 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK7628-100A,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 47 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 166 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- TPH5900CNH,L1Q
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- FQB19N20CTM
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 19 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,13 Вт (Ta), 139 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- BUK768R3-60E,118
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 137 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед