- AON6262E
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 48 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- TPN3300ANH,LQ
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 9,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), 27 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- NVTFS5116PLTAG
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 21 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDD6680AS
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 55 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 60 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- CPC3909CTR
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока: Iс = 300 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-89, упаковка: Cut Tape.
- CPC3909ZTR
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- RCJ081N20TL
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,56 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: LPTS (SC-83), упаковка: Cut Tape.
- SFT1342-TL-W
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), 15 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: TP-FA, упаковка: Cut Tape.
- DMT6007LFG-7
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,2 Вт (Ta), 62,5 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- AON7292
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), 23 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,1 Вт (Ta), 28 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- TN0104N8-G
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 630 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: TO-243AA (SOT-89), упаковка: Cut Tape.
- AOD2544
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 6,5 А (Ta), 23 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,2 Вт (Ta), 75 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDD5N50TM_WS
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI4874BDY-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDD26AN06A0_F085
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 7 А (Ta), 36 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 75 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- BUK9230-100B,118
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 47 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 167 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK7613-75B,118
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 157 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4845NT1G
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13,7 А (Ta), 115 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 890 мВт (Ta), 62,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y28-75B,115
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 85 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- TN2524N8-G
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока: Iс = 360 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: TO-243AA (SOT-89), упаковка: Cut Tape.
- BUK7613-60E,118
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 58 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 96 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDWS86369_F085
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 65 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 107 Вт (Tj), SMT-монтаж, корпус детали: Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDS6673BZ_F085
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 14,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDC86244
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- DMTH6010LK3-13
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14,8 А (Ta), 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед