- RQ1E050RPTR
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: TSMT8, упаковка: Cut Tape.
- FQD6N40CTM
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDC645N
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP7A17KTC
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 70 В, ток стока: Iс = 3,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,11 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- ZVP4525E6TA
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 197 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-23-6, упаковка: Cut Tape.
- DMT8012LFG-7
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,5 А (Ta), 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,2 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- STN4NF06L
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,3 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R7-25YLDX
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 135 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- STL62P3LLH6
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 62 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SQ4431EY-T1_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6 Вт (Tc), монтаж на поверхность, упаковка: Cut Tape.
- BUK9660-100A,118
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 26 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 106 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN010-80YLX
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 84 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 194 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- IRFR210TRLPBF
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 2,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRFR310TRPBF
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока: Iс = 1,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDD850N10L
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 15,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDD4N60NZ
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 114 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- CXDM3069N TR
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,2 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-89, упаковка: Cut Tape.
- STD9N40M2
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FQD19N10TM
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 15,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDS8449_F085
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R2-30YLC,115
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 215 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- TN2510N8-G
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 730 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: TO-243AA (SOT-89), упаковка: Cut Tape.
- FDMS7658AS
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 29 А (Ta), 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: Power56, упаковка: Cut Tape.
- CXDM6053N TR
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: SOT-89, упаковка: Cut Tape.
- AON7262E
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21 А (Ta), 34 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 43 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-DFN-EP (3x3), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед