- ZVN2120GTA
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 320 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- TPH3R704PL,L1Q
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 92 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 960 мВт (Ta), 81 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- ZVP2106ASTZ
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 280 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), монтаж через отверстия, заводской корпус: E-Line (TO-92 compatible), упаковка: Cut Tape.
- NTF6P02T3G
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 8,3 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- BSP250,115
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,65 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- BSP250,135
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,65 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- PSMN8R5-60YS,115
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 76 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 106 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK7215-55A,118
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 55 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 115 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN013-80YS,115
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 106 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y14-80EX
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 65 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 147 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDT459N
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y14-80E,115
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 62 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 147 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R0-25YLDX
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 115 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FQD8P10TM_F085
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 44 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FQD13N06TM
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 28 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y3R5-40E,115
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 167 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86580_F085
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 75 Вт (Tj), монтаж SMD, корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- BUK7635-55A,118
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 85 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- DMTH8012LK3-13
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,6 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- XP162A12A6PR-G
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-89, упаковка: Cut Tape.
- FDD3N50NZTM
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 40 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP3A16N8TA
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- ZVP4525ZTA
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 205 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-89-3, упаковка: Cut Tape.
- FDD050N03B
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 65 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
- FDD4685_F085
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,4 А (Ta), 32 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 83 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед