- FDMC0310AS
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Ta), 21 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y08-40B,115
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 105 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- DMT3008LFDF-7
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 800 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: U-DFN2020-6 (Type F), упаковка: Cut Tape.
- PSMN028-100YS,115
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 89 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN3R0-30YL,115
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 81 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SIB452DK-T1-GE3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 190 В, ток стока: Iс = 1,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), 13 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PowerPAK® SC-75-6L Single, упаковка: Cut Tape.
- PSMN021-100YLX
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 49 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 147 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDMC4435BZ
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8,5 А (Ta), 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- CMPDM303NH TR
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- BUK7225-55A,118
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 43 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 94 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SIR412DP-T1-GE3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,9 Вт (Ta), 15,6 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- DMP2007UFG-7
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- STQ3N45K3-AP
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 450 В, ток стока: Iс = 600 мА (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP2120E5TA
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 122 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 750 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: SOT-23-5, упаковка: Cut Tape.
- DMP4025LSS-13
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,52 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R5-30YL,115
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 88 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- IRLR014TRPBF
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 7,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SQ3460EV-T1_GE3
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,6 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- FDMS9411L_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tj), монтаж SMD, корпус детали: Power56, упаковка: Cut Tape.
- FQD7N20LTM
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 5,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 45 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y07-30B,115
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 105 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86381_F085
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tj), SMT-монтаж, корпус детали: Power56, упаковка: Cut Tape.
- BUK7675-100A,118
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 23 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 99 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK9628-55A,118
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 99 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP7A17GQTA
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 70 В, ток стока: Iс = 2,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед