- RQ3E120ATTB
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- DMP10H400SE-13
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 2,3 А (Ta), 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 13,7 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- AO4411
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- FDC3612
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- TP0610T-G
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- PSMN013-60YLX
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 53 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 95 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- RF4E075ATTCR
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 7,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: HUML2020L8, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4935NT1G
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13 А (Ta), 93 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 930 мВт (Ta), 48 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- SI3493BDV-T1-GE3
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,08 Вт (Ta), 2,97 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DN1509N8-G
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 90 В, ток стока (непрерывный): Iс = 360 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: TO-243AA (SOT-89), упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R4-30MLDX
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 91 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- NTTFS5826NLTAG
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- BUK7M6R3-40EX
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 79 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- PSMN012-60YS,115
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 59 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 89 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDFMA2N028Z
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Tj), SMT-монтаж, корпус детали: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- FDFMA2P029Z
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Tj), монтаж SMT, корпус изделия: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- BUK7M22-80EX
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 37 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 75 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- FQD11P06TM
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 9,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 38 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI4435DDY-T1-E3
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- ATP106-TL-H
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 30 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 40 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: ATPAK, упаковка: Cut Tape.
- SI3477DV-T1-GE3
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 4,2 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SI2319DS-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 2,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 750 мВт (Ta), поверхностный монтаж, упаковка: Cut Tape.
- PSMN014-80YLX
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 62 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 147 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SVD2955T4G
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 55 Вт (Tj), монтаж SMT, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y12-40E,115
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 52 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 65 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед