- SI5913DC-T1-GE3
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,7 Вт (Ta), 3,1 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: 1206-8 ChipFET™, упаковка: Cut Tape.
- DMTH6016LPSQ-13
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,8 А (Ta), 37 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,6 Вт (Ta), 37,5 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN4R4-30MLC,115
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 69 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- SI4829DY-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 3,1 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI4485DY-T1-GE3
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI5442DU-T1-GE3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® ChipFet Single, упаковка: Cut Tape.
- BUK9840-55/CUX
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), 10,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 8,3 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- BSP89,115
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока: Iс = 375 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- AON7446
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 3,3 А (Ta), 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 16,7 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 8-DFN (3x3), упаковка: Cut Tape.
- NTNS3190NZT5G
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 224 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 120 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: 3-XLLGA (0.62x0.62), упаковка: Cut Tape.
- AOD5T40P
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 52 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SI3447CDV-T1-GE3
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 3 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- PSMN4R0-30YL,115
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 69 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN3R5-25MLDX
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 65 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK7M19-60EX
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 55 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- BUK7M10-40EX
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 56 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 62 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- IPB80N04S403ATMA1
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 94 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- AO4480
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- FQD7P06TM
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 28 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4941NT1G
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), 47 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 910 мВт (Ta), 25,5 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- PHT4NQ10T,135
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,9 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- PSMN025-80YLX
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 37 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 95 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SI4431CDY-T1-GE3
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 4,2 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M35-80EX
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 26 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 62 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- PSMN4R0-25YLC,115
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 84 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 61 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед