- DMP3036SFG-7
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 950 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- DMP4047SK3-13
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y65-100E,115
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 64 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN3R9-25MLC,115
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 69 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y72-80EX
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SI2307BDS-T1-GE3
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 750 мВт (Ta), монтаж SMD, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y21-40EX
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 33 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN041-80YLX
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 64 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- CEDM8004 TR
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 450 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-883VL, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y18-55B,115
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 47,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 85 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- DMP1080UCB4-7
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 820 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: U-WLB1010-4, упаковка: Cut Tape.
- DN2450K4-G
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 350 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- MCP87050T-U/MF
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: 8-PDFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y53-100B,115
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 85 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK7M12-40EX
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 48 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 55 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- SQ2361AEES-T1_GE3
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 2,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Tc), монтаж SMT, упаковка: Cut Tape.
- PSMN4R1-30YLC,115
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 92 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 67 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN5R3-25MLDX
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 51 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- FQT5P10TF
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- PSMN6R5-30MLDX
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 65 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 51 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- BUK7M8R0-40EX
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 69 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 75 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M28-80EX
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 33 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 75 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- SI2334DS-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,3 Вт (Ta), 1,7 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- DMP2047UCB4-7
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: U-WLB1010-4, упаковка: Cut Tape.
- DMP2066LSS-13
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед