- SQ2315ES-T1_GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- PMV55ENEAR
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 478 мВт (Ta), 8,36 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- AO3434A
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M17-30EX
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 37 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 44 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K56ACT,L3F
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: CST3, упаковка: Cut Tape.
- IPB70N04S406ATMA1
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 58 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- PCP1302-TD-H
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: SOT-89/PCP-1, упаковка: Cut Tape.
- DMP3160L-7
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,08 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- SI1414DH-T1-GE3
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-363, упаковка: Cut Tape.
- DMN10H170SFG-13
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 2,9 А (Ta), 8,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 940 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- MGSF1N03LT1G
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 420 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- PSMN6R1-30YLDX
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 66 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 47 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN014-40YS,115
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 46 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 56 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PMV50ENEAR
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 510 мВт (Ta), 3,9 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- SI2392ADS-T1-GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), 2,5 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- RQ3E100GNTB
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 15 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- IPB80N04S404ATMA1
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 71 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- FDN304PZ
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- FDC610PZ
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y59-60E,115
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 16,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 37 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- DMP3056LSS-13
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 7,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- AON7538
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 23 А (Ta), 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,2 Вт (Ta), 24 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-DFN-EP (3x3), упаковка: Cut Tape.
- PSMN6R0-25YLDX
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 61 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 43 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- STN3N40K3
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока: Iс = 1,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,3 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP10A13FTA
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 600 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 625 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед