- SI2377EDS-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), 1,8 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- PMV25ENEAR
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 460 мВт (Ta), 6,94 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- AOD1N60
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 45 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- AO4466
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- DMN3065LW-7
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 770 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- RQ5C035BCTCL
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- DMP3028LFDE-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 660 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: U-DFN2020-6 (Type E), упаковка: Cut Tape.
- BUK78150-55A/CUX
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 5,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 8 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M53-60EX
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 36 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- NTRV4101PT1G
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 420 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- NVTR4503NT1G
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 420 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- DMG4800LFG-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,44 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 940 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: U-DFN3030-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M52-40EX
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 31 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K35MFV(TPL3)
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: VESM, упаковка: Cut Tape.
- MMBF0201NLT1G
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 300 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 225 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- PMT560ENEAX
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 1,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 750 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: SC-73, упаковка: Cut Tape.
- PMV65ENEAR
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 490 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- RQ5E035BNTCL
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M42-60EX
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 22 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 44 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- DMN3115UDM-7
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 900 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-26, упаковка: Cut Tape.
- SIA440DJ-T1-GE3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- NTZS3151PT1G
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 860 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 170 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-563, упаковка: Cut Tape.
- FDMC8882
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,5 А (Ta), 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 18 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- DMP2123LQ-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- NTS4173PT1G
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 290 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SC-70-3 (SOT323), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед