- SUM70060E-GE3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 131 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- IRF830STRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 74 Вт (Tc), монтаж на поверхность, упаковка: Cut Tape.
- IRF840STRRPBF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), SMT-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- IRF640STRRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 130 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: TO-263 (D²Pak), упаковка: Cut Tape.
- SQP90142E_GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 78,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Cut Tape.
- NX138AKR
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 190 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 325 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: TO-236AB, упаковка: Cut Tape.
- BSS138L
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN63D8LW-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 380 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- RE1C001UNTCL
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: EMT3F (SOT-416FL), упаковка: Cut Tape.
- NDS0605
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 180 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMN3070SSN-7
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 780 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SC-59, упаковка: Cut Tape.
- FDC637BNZ
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- FDC021N30
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- NTGS3455T1G
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SI3442CDV-T1-GE3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,7 Вт (Ta), 2,7 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMN66D0LW-7
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 115 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 200 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- FDN5630
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 1,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN3051LDM-7
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 900 мВт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-26, упаковка: Cut Tape.
- SI3417DV-T1-GE3
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 4,2 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- PMT280ENEAX
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 770 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SC-73, упаковка: Cut Tape.
- MCH3333A-TL-W
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 900 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SC-70FL/MCPH3, упаковка: Cut Tape.
- FDG312P
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 750 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SC-70-6, упаковка: Cut Tape.
- DMN5L06WK-7
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 250 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- SI1427EDH-T1-GE3
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,56 Вт (Ta), 2,8 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: SC-70-6 (SOT-363), упаковка: Cut Tape.
- DMS3014SFG-7
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед