- IPB64N25S320ATMA1
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 64 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- IPB200N25N3GATMA1
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 64 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IPB015N08N5ATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TO263-7, упаковка: Cut Tape.
- IPB017N10N5ATMA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TO263-7, упаковка: Cut Tape.
- IPL65R070C7AUMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 169 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PG-VSON-4, упаковка: Cut Tape.
- FQB11P06TM
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,13 Вт (Ta), 53 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- FDB28N30TM
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 300 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 250 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB2552
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), 37 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP6A17GQTA
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- FDB86102LZ
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,3 А (Ta), 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- FQB8P10TM
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,75 Вт (Ta), 65 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- FQB50N06TM
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,75 Вт (Ta), 120 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- IRF840ASTRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB8445
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 92 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- IRF740STRLPBF
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока: Iс = 10 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFS4310ZTRLPBF
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- RCJ050N25TL
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,56 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: LPTS (SC-83), упаковка: Cut Tape.
- RCJ120N20TL
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,56 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: LPTS (SC-83), упаковка: Cut Tape.
- RCJ120N25TL
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,56 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: LPTS (SC-83), упаковка: Cut Tape.
- ZXMN2A02N8TA
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,56 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRF2807STRLPBF
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 82 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 230 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRF9Z34STRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 88 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRL7833STRLPBF
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 150 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 140 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- HUF75639S3ST
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 56 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 200 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- PSMN020-30MLCX
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 31,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 33 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед