- IRF7780MTRPBF
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 89 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 96 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: DirectFET™ Isometric ME, упаковка: Cut Tape.
- IRF6726MTRPBF
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 32 А (Ta), 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: DIRECTFET™ MT, упаковка: Cut Tape.
- IRF7946TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 96 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: DIRECTFET™ MX, упаковка: Cut Tape.
- IRFH5007TRPBF
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IRFS7530TRLPBF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 195 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- BSB165N15NZ3GXUMA1
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), 45 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: MG-WDSON-2, CanPAK M™, упаковка: Cut Tape.
- IRF6894MTRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 32 А (Ta), 160 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 54 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: DIRECTFET™ MX, упаковка: Cut Tape.
- IRF8302MTRPBF
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 31 А (Ta), 190 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: DIRECTFET™ MX, упаковка: Cut Tape.
- IPB60R160C6ATMA1
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 23,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 176 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IPL60R199CPAUMA1
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 139 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-VSON-4, упаковка: Cut Tape.
- IPB65R150CFDATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 22,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 195,3 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TO263, упаковка: Cut Tape.
- IRF6613TRPBF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 23 А (Ta), 150 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: DIRECTFET™ MT, упаковка: Cut Tape.
- IPB015N04NGATMA1
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IRF135S203
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 135 В, ток стока (непрерывный): Iс = 129 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 441 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- IPB020N08N5ATMA1
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TO263-3, упаковка: Cut Tape.
- BSC093N15NS5ATMA1
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 87 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 139 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPB016N06L3GATMA1
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PG-TO263-7, упаковка: Cut Tape.
- IPB90R340C3ATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 900 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 208 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PG-TO263, упаковка: Cut Tape.
- IRF6718L2TRPBF
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 61 А (Ta), 270 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,3 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: DIRECTFET L6, упаковка: Cut Tape.
- IPT004N03LATMA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 300 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 300 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-HSOF-8-1, упаковка: Cut Tape.
- IPB60R125C6ATMA1
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 219 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IPL65R130C7AUMA1
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 102 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-VSON-4, упаковка: Cut Tape.
- IRF7749L2TRPBF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 33 А (Ta), 375 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,3 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: DIRECTFET L8, упаковка: Cut Tape.
- IPB60R125CPATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 208 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- IPB117N20NFDATMA1
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 84 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: TO-263-3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед