- IRF6716MTRPBF
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 39 А (Ta), 180 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,6 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: DIRECTFET™ MX, упаковка: Cut Tape.
- IPB65R225C7ATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 63 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PG-TO263, упаковка: Cut Tape.
- IRFS7534TRL7PP
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 240 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 290 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.
- BSB015N04NX3GXUMA1
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 36 А (Ta), 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: MG-WDSON-2, CanPAK M™, упаковка: Cut Tape.
- IRF6616TRPBF
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 19 А (Ta), 106 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: DIRECTFET™ MX, упаковка: Cut Tape.
- IRF3808STRLPBF
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 106 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFS7734TRL7PP
Силовой MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 197 А, рассеиваемая мощность: PD = 294 Вт, монтаж на поверхность, корпус изделия: D²Pak-7Pin, упаковка: Cut Tape.
- IPB100N06S205ATMA4
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- IRL2910STRLPBF
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 55 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 200 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRF60DM206
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 130 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 96 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: DirectFET™ Isometric ME, упаковка: Cut Tape.
- IRFS7730TRLPBF
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 195 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- IRF6617TRPBF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), 55 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: DIRECTFET™ ST, упаковка: Cut Tape.
- BSC320N20NS3GATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 36 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 125 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPB65R190CFDATMA1
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 17,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 151 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PG-TO263, упаковка: Cut Tape.
- IPL65R230C7AUMA1
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 67 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-VSON-4, упаковка: Cut Tape.
- IRF6674TRPBF
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13,4 А (Ta), 67 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: DIRECTFET™ MZ, упаковка: Cut Tape.
- IRFS7437TRL7PP
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 195 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 231 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.
- IRF6717MTRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 38 А (Ta), 200 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: DIRECTFET™ MX, упаковка: Cut Tape.
- IRFS4115TRLPBF
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 195 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BSC014N06NSATMA1
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPB100N04S204ATMA4
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- IRF6727MTRPBF
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 32 А (Ta), 180 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: DIRECTFET™ MX, упаковка: Cut Tape.
- IPB320N20N3GATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 34 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 136 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IRF6785MTRPBF
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,4 А (Ta), 19 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 57 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: DIRECTFET™ MZ, упаковка: Cut Tape.
- IRLH5030TRPBF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед