- IRF6662TRPBF
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 8,3 А (Ta), 47 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: DIRECTFET™ MZ, упаковка: Cut Tape.
- IRF6810STRPBF
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 20 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: DIRECTFET S1, упаковка: Cut Tape.
- IRFH8303TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 43 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IRF5210STRLPBF
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 38 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 170 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRF1405STRLPBF
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 131 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 200 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- AUIRFN7107TR
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 14 А (Ta), 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,4 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IPB65R310CFDATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 11,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 104,2 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PG-TO263, упаковка: Cut Tape.
- IPD200N15N3GATMA1
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- BSC100N10NSFGATMA1
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 11,4 А (Ta), 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 156 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF6646TRPBF
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), 68 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: DIRECTFET™ MN, упаковка: Cut Tape.
- BSC016N06NSATMA1
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 30 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 139 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC037N08NS5ATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 114 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC028N06LS3GATMA1
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 23 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 139 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD65R225C7ATMA1
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 63 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IRFH5215TRPBF
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), 27 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IPB026N06NATMA1
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 25 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PG-TO263-3, упаковка: Cut Tape.
- IRF6623TRPBF
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Ta), 55 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: DIRECTFET™ ST, упаковка: Cut Tape.
- AUIRF3205ZSTRL
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 170 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPD65R250E6XTMA1
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16,1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 208 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IRF6715MTRPBF
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 34 А (Ta), 180 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: DIRECTFET™ MX, упаковка: Cut Tape.
- IRF6795MTRPBF
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 32 А (Ta), 160 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 75 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: DIRECTFET™ MX, упаковка: Cut Tape.
- IRF6775MTRPBF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 4,9 А (Ta), 28 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: DIRECTFET™ MZ, упаковка: Cut Tape.
- IRF1404STRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 162 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 200 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRF2805STRLPBF
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 135 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 200 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPL60R210P6AUMA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 151 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PG-VSON-4, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед