- IRF7458TRPBF
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 14 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IPD042P03L3GATMA1
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IRF3710ZSTRLPBF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 59 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 160 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPD038N06N3GATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 188 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- BSC034N06NSATMA1
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 74 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC360N15NS3GATMA1
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 33 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 74 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFS4615TRLPBF
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 33 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 144 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BSC118N10NSGATMA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), 71 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 114 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- SPD15P10PLGBTMA1
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 128 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IRF2807ZSTRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 170 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRLH6224TRPBF
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28 А (Ta), 105 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: 8-PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IRFR4104TRPBF
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 140 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSC009NE2LS5ATMA1
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 41 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 74 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD12CN10NGATMA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 67 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IRFH8307TRPBF
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 42 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- BSC052N08NS5ATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 95 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF40H210
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: 8-PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- BSC009NE2LSATMA1
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 41 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFH5006TRPBF
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 21 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,6 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- BSC009NE2LS5IATMA1
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 74 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPC100N04S51R2ATMA1
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC080P03LSGAUMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Ta), 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC040N08NS5ATMA1
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRL3803STRLPBF
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 140 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 200 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRF7580MTRPBF
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 114 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 115 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: DirectFET™ Isometric ME, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед