- IRF60R217
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 58 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 83 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IPB083N10N3GATMA1
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- BSZ019N03LSATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 22 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PG-TSDSON-8-FL, упаковка: Cut Tape.
- IRFH8202TRPBF
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 47 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,6 Вт (Ta), 160 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: 8-PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IPB034N06L3GATMA1
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 167 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- AUIRLR3410TRL
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 79 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSC072N08NS5ATMA1
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 74 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC014N03LSGATMA1
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 34 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 139 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFH8201TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 49 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,6 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: 8-PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IRFH6200TRPBF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 49 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- AUIRFR5410TRL
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 66 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSC018N04LSGATMA1
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 30 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPL60R360P6SATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 89,3 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 8-ThinPak (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IPD100N04S402ATMA1
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TO252-3-313, упаковка: Cut Tape.
- IRF3205STRLPBF
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 200 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRF1010NSTRLPBF
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 85 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 180 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SPD15P10PGBTMA1
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 128 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IPB057N06NATMA1
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Ta), 45 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PG-TO263-3, упаковка: Cut Tape.
- IRFH5250DTRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 40 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PQFN (5x6) Single Die, упаковка: Cut Tape.
- IRF3710STRLPBF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 57 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 200 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BSZ16DN25NS3GATMA1
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 62,5 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFR4620TRLPBF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 144 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IPB50N10S3L16ATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- IPB70N10S312ATMA1
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 125 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- IRF7855TRPBF
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед