- IRF7853TRPBF
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 8,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSC026N04LSATMA1
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 23 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 63 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSZ12DN20NS3GATMA1
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 11,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFR3708TRPBF
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 61 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 87 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSC018NE2LSIATMA1
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 29 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRLZ24NSTRLPBF
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 45 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BSC520N15NS3GATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 21 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 57 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSZ240N12NS3GATMA1
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 120 В, ток стока: Iс = 37 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 66 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF9Z24NSTRLPBF
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 45 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BSC109N10NS3GATMA1
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 63 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 78 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- AUIRLL2705TR
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 5,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: PG-SOT223, упаковка: Cut Tape.
- BSC014NE2LSIATMA1
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 33 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 74 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF7452TRPBF
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IPD530N15N3GATMA1
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 21 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 68 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- BSZ150N10LS3GATMA1
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 63 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRLR3915TRPBF
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 120 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRFH5406TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IRF6712STRPBF
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), 68 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,2 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: DIRECTFET™ SQ, упаковка: Cut Tape.
- SI4420DYTRPBF
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSC019N04NSGATMA1
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFR2407TRPBF
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IPC100N04S5L1R5ATMA1
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 115 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPC100N04S51R7ATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 115 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC098N10NS5ATMA1
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD90R1K2C3ATMA1
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 900 В, ток стока: Iс = 5,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 83 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед