- BSC060P03NS3EGATMA1
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17,7 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC265N10LSFGATMA1
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,5 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 78 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFH5301TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 35 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,6 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: PQFN (5x6) Single Die, упаковка: Cut Tape.
- IPD096N08N3GATMA1
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 73 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IPD90N04S403ATMA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 94 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PG-TO252-3-313, упаковка: Cut Tape.
- IRFR7446TRPBF
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 56 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 98 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSC032N04LSATMA1
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21 А (Ta), 98 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF7455TRPBF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SPD18P06PGBTMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 80 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IRLZ44ZSTRLPBF
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 51 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 80 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPD50N03S2L06ATMA1
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 136 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TO252-3-11, упаковка: Cut Tape.
- BSC066N06NSATMA1
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 64 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 46 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPB042N03LGATMA1
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 79 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IRLR8743TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 160 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 135 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSP149H6906XTSA1
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 660 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,8 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.
- IRFR7746TRPBF
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 56 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 99 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
- DMP3010LPSQ-13
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 36 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,18 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF6665TRPBF
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 4,2 А (Ta), 19 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,2 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: DIRECTFET™ SH, упаковка: Cut Tape.
- BSZ0901NSIATMA1
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PG-TSDSON-8-FL, упаковка: Cut Tape.
- BSC025N03MSGATMA1
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 23 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPC100N04S5L1R9ATMA1
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPC100N04S51R9ATMA1
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TDSON-8-34, упаковка: Cut Tape.
- IPD036N04LGBTMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 94 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- BSC0901NSIATMA1
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 28 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF7831TRPBF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 21 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед