- IRF7811AVTRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSZ050N03MSGATMA1
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD50R380CEAUMA1
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 14,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 98 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IPD90N04S404ATMA1
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 71 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PG-TO252-3-313, упаковка: Cut Tape.
- IPD90N04S4L04ATMA1
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 71 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PG-TO252-3-313, упаковка: Cut Tape.
- IRF7476TRPBF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMN3007LSS-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 16 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- BSO613SPVGHUMA1
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 3,44 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: PG-DSO-8, упаковка: Cut Tape.
- BSZ036NE2LSATMA1
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 37 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TSDSON-8-FL, упаковка: Cut Tape.
- IRFH7936TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Ta), 54 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IPD75N04S406ATMA1
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 58 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TO252-3-313, упаковка: Cut Tape.
- IRFR3410TRLPBF
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 31 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 110 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRF7490TRPBF
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 5,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSZ0902NSIATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PG-TSDSON-8-FL, упаковка: Cut Tape.
- IRFH8311TRPBF
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 32 А (Ta), 169 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,6 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- BSC084P03NS3GATMA1
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 14,9 А (Ta), 78,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSO130P03SHXUMA1
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,56 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: P-DSO-8, упаковка: Cut Tape.
- BSP613PH6327XTSA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,8 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.
- IPD70R360P7SAUMA1
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 700 В, ток стока: Iс = 12,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 59,4 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP10A17KTC
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- IRF7468TRPBF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 9,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IPD35N12S3L24ATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 120 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 71 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- AUIRLL014NTR
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- IPD70P04P409ATMA1
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 73 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 75 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PG-TO252-3-313, упаковка: Cut Tape.
- IRF7862TRPBF
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 21 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед