- IRF9388TRPBF
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSP297H6327XTSA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 660 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,8 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.
- IPD50N04S408ATMA1
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 46 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-TO252-3-313, упаковка: Cut Tape.
- IRFL4315TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- IPD350N06LGBTMA1
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 29 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 68 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IPC50N04S55R8ATMA1
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 42 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF7726TRPBF
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,79 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: Micro8™, упаковка: Cut Tape.
- DMP3012LPS-13
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,29 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- DMP4025LK3-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 6,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,7 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- IPZ40N04S5L7R4ATMA1
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 34 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFR024NTRLPBF
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IPD060N03LGATMA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 56 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IPC50N04S5L5R5ATMA1
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 42 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TDSON-8-33, упаковка: Cut Tape.
- BSZ088N03MSGATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 35 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFR220NTRLPBF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 43 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IPD60R1K4C6ATMA1
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 28,4 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- BSZ058N03MSGATMA1
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 45 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC057N03LSGATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Ta), 71 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 45 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4435DYTRPBF
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SPD09P06PLGBTMA1
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 42 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IPD80R2K8CEATMA1
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 1,9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 42 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- BSC042N03MSGATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), 93 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 57 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4410DYTRPBF
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRF7807VTRPBF
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRFH5304TRPBF
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 22 А (Ta), 79 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед