- IRFHM8326TRPBF
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 37 Вт (Tc), монтаж SMT, упаковка: Cut Tape.
- IRF8714TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRF6217TRPBF
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 700 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSL207SPH6327XTSA1
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: P-TSOP6-6, упаковка: Cut Tape.
- IRFH7914TRPBF
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Ta), 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IRF9335TRPBF
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSZ130N03MSGATMA1
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC886N03LSGATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13 А (Ta), 65 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 39 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSZ180P03NS3EGATMA1
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), 39,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPN70R1K5CEATMA1
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 700 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PG-SOT223, упаковка: Cut Tape.
- DMN3010LK3-13
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13,1 А (Ta), 43 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- IRFH3702TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Ta), 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-PQFN (3x3), упаковка: Cut Tape.
- IPD70R1K4P7SAUMA1
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 700 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 23 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- BSC080N03LSGATMA1
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 14 А (Ta), 53 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 35 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSZ120P03NS3GATMA1
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- DMN10H120SFG-13
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 3,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD30N06S4L23ATMA2
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 36 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TO252-3-11, упаковка: Cut Tape.
- BSZ100N03LSGATMA1
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSZ100N03MSGATMA1
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFHM9391TRPBF
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,6 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33, упаковка: Cut Tape.
- IPD50N04S410ATMA1
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 41 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PG-TO252-3-313, упаковка: Cut Tape.
- IPD26N06S2L35ATMA2
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 68 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PG-TO252-3-11, упаковка: Cut Tape.
- IPD70R950CEAUMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 700 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 68 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP2540UCB9-7
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: U-WLB1515-9, упаковка: Cut Tape.
- IRFR120NTRLPBF
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 9,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 48 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед